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AT-400原子层沉积系统高纵横比沉积，具有良好的共形性;曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统
AT-400原子层沉积系统技术参数：
基片尺寸：4英寸；
加热温度：25℃~350℃；
温度均匀性：±1℃；
前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；
前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；
PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；
模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；
压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或；
在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟
AT-400原子层沉积
http://www.first-nano.com/SonList-1441859.html
https://www.chem17.com/st326752/product_26329108.html
AT-400原子层沉积