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点击图片查看原图 quantum efficiency在半导体器件中，不完整的结晶度往往会导致禁带隙中的缺陷或陷阱态，这极大地影响了器件的整体光学和电学性能。 由于带隙中的吸收系数极低，产生的光电流信号也极弱。 因此，需要高度灵敏的检测系统。
特色：
● 陷阱状态、缺陷状态或电荷转移状态的直接光谱学证据。
● 波长范围：1.1~2.07 eV (600nm~1100nm)；选项：0.70 eV~2.07 eV (600nm~1800nm)。
● Turn-key解决方案；安装后产生可靠的光谱数据。节省时间和成本效益（至少1年和2万美元）。
● 完整的培训课程，包括操作和基本背景培训。
● 超过 50 篇 SCI 期刊论文证明。
● 不仅仅是数据采集，还包括能级拟合! 提供CTS和Urbach能级拟合软件。
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